shallowtrenchisolation用途

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。,本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(ShallowTrenchIsolation)的半導體裝置及其製造方法。為了將半導體元件細微化及高速化,必須將 ...,2014年12月19日—STI=ShallowTrenchIsolation.顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離,那是隔...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(Shallow Trench Isolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。

TWI390665B

本發明是關於一種半導體裝置及其製造方法,特別是關於一種Dual-STI(Shallow Trench Isolation)的半導體裝置及其製造方法。 為了將半導體元件細微化及高速化,必須將 ...

何謂STI? - WU MIN SHIN

2014年12月19日 — STI = Shallow Trench Isolation. 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離,那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...

浅槽隔离工艺(STI)

2010年11月28日 — 相信很多在现在看工艺厂的相关文档时,会看到有些图上面标有STI的注释,STI是英文shallow trench isolation的简称,翻译过来为浅槽隔离工艺。

淺槽隔離

淺槽隔離,即shallow trench isolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...

淺槽隔離_百度百科

淺槽隔離,即shallow trench isolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

渠隔離技術(Shallow Trench Isolation,. STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技. 術 ... 外,在實際製程應用上,可減少研漿. 廢棄處理之成本,是化學機械研磨技. 術的重大觀念 ...